- Funcion de la memoria RAM
- Parametros de una memoria ram
- Tiempo o Velocidad de Acceso. Es el tiempo necesario para realizar una operaciónde lectura/escritura sobre la memoria y puede ser expresado en unidades de tiempo(segundos) o en términos de frecuencia (hercios).. Cuanto menor tiempo de accesotenga la memoria más rápida será. Por ejemplo, una memoria DDR3-1600 puede teneruna velocidad de acceso de 5 nanosegundos.
- Velocidad de reloj. Es la frecuencia a la que físicamente trabaja la memoria RAM demanera normal. Se mide en Mega ciclos por segundo [MHz]. Las memorias DDR,DDR2 y DDR3 se suelen clasificar atendiendo a dos criterios: según la velocidad delreloj del bus (DDR3-1666, DDR3-1333, DDR3-1066, etc.), en este caso en MHz, o bien por su ancho de banda teórico (PC3-13300, PC3-10600, PC3-8500, etc.), es decir, MBytes/seg. Normalmente se suelen comercializar atendiendo a la velocidad de relojdel bus medido en MHz. El ancho de banda teórico es la máxima capacidad detransferencia del bus medido generalmente en MBytes/Seg.
- Voltaje. El voltaje viene determinado por el tipo de memoria y tecnología. Un voltajemás alto supone mayor consumo y temperatura, aunque a veces mejora el rendimientopor lo que suele elevarse mediante overclocking. Algunos fabricantes ofrecen módulosde alto rendimiento con mayor voltaje y mejor refrigeración. Las memorias DDR3reducen el consumo eléctrico en un 30% debido a que el voltaje que necesitan esmucho menor (1,5 V) frente a las memorias DDR2 (1,8 V) o DDR (2,5 V).
- Tecnologías soportadas. La memoria RAM permite el uso de técnicas como Single Memory Channel (un sólo canal de intercambio de información entre módulos de memoria y bus); Dual Memory Channel (dos canales simultáneos diferenciados de intercambio), la CPU funciona con dos canales independientes y simultáneos, con locual las cifras de ancho de banda efectivo se disparan. En la actualidad existen placas que soportan el Triple Memory Channel que funcionan bajo tres canales de intercambio de datos (de nuevo indicar que hay que seguir las indicaciones del manual de la placa en cuanto a configuración de instalación de los módulos de memoria en cuestión). Arquitectura Multi-canal de memoria es una tecnología que aumenta la velocidad de transferencia de datos entre la memoria RAM y el controlador de memoria mediante la adición de más canales de comunicación entre ellos. Teóricamente, esto multiplica la velocidad de datos por exactamente el número de canales presentes. Cuádruple (Quad) memory channel se utiliza en la plataforma AMD G34 y en la plataforma Intel LGA 2011. La arquitectura sólo se puede utilizar con cuatro, o un múltiplo de cuatro, módulos de memoria idénticos en capacidad y velocidad, y si se colocan en las ranuras de cuatro canales. Cuando están instalados dos módulos de memoria, la arquitectura funcionará en el modo de arquitectura de doble canal. Cuando están instalados tres módulos de memoria, la arquitectura operará en modo de triple canal.
- Tiempo de latencia: La latencia de la memoria RAM mide el tiempo (en ciclos de reloj) que tarda la memoria desde que recibe una petición hasta que envia los datos por los pines de salida. Por ello cuanto menores sean estos números mejor será nuestra RAM, aunque este dato también es dependiente de la frecuencia a la que trabaje la memoria. También cabe decir que como la latencia depende de los ciclos de reloj, cuanto mayor sea la velocidad de nuestra memoria RAM, más se verá penalizada por una latencia más alta. En computación, la latencia de la memoria es el tiempo entre el inicio de la petición de un dato en memoria hasta que es efectivamente recibido. La latencia es por esto una medida fundamental de la velocidad de memoria: a menor latencia, más rápida es la operación de lectura/escritura. Existen varios tipos de latencias en las memorias, sin embargo, las más importantes son:
RAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una fila.
ACTIVE: indica el tiempo que tarda la memoria en activar un tablero.
PRECHARGE: indica el tiempo que tarda la memoria en desactivar un tablero.
6. Latencias Primarias: CAS (tCL o Column Address Strobe): Indica la cantidad de ciclos que se destinará al intervalo que empieza en el envio de un “comando” de lectura y que finaliza al momento en la que se puede actuar sobre ese pedido, es decir, la memoria está constantemente enviando y reciviendo información hacia o desde el procesador y cada acción de envío de información requiere tiempo el cual esta controlado por esto. La latencia esta definida desde el principio del CAS hasta su final. Cuanto menor sea el tiempo de estos en los ciclos, mayor es el rendimiento de la memoria. Por ejemplo: 5-5-5-15, el primer número esta indicando el valor del CL (5 cíclos)
7. Latencias Secundarias:
Se utilizan para realizar los ajustes “finos” a la memoria, no influyen demasiado en el
rendimiento final, pero juegan su papel importante en la estabilidad de la misma.
tRC (Row Cycle Time): Determina el número mínimo de ciclos de reloj que una fila
de memoria necesita para completar un ciclo completo, desde la activación de la fila a
la precarga de la fila activa. No hay mucho que decir, actua como medida de seguridad
par que una fila no se precargue demasiado pronto y se corrompan los datos. Se
calcula con la formula:tRC = tRAS + tRP
8.Ancho de banda teórico: La organización que regula los estándares relativos a las velocidades de la memoria es JEDEC. Para DDR3, hay estándares hasta DDR3 2133, aunque los fabricantes ya ofrecen velocidades de hasta DDR3 2333, que está fuera del estándar, y por tanto las placas base posiblemente no permitan configurar esta velocidad si no es a través de overclocking.
- Niveles de memoria cache en el microprocesador
En el caso de los microprocesadores, estos integran de 1 a 3 tipos de memoria caché denominadas L1, L2 y L3, que significan (“Level X“) ó traducido es nivel 1, nivel 2 y nivel 3.
+ Memoria L1: se encuentra integrada dentro de los circuitos del microprocesador y eso la hace más cara y más complicado en el diseño, pero también mucho más eficiente por su cercanía al microprocesador, ya que funciona a la misma velocidad que él. Esta a su vez se subdivide en 2 partes.
– L1 DC: (“Level 1 date cache“): se encarga de almacenar datos usados frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlos, inmediatamente los utiliza, por lo que se agilizan los procesos.
– L1 IC: (“Level 1 instruction cache“): se encarga de almacenar instrucciones usadas frecuentemente y cuando sea necesario volver a utilizarlas, inmediatamente las recupera, por lo que se agilizan los procesos.
+ Memoria L2: esta anteriormente se encontraba en tarjetas de memoria, para ser insertada en una ranura especial de la tarjeta principal (Motherboard) y funciona a la velocidad de trabajo de la misma. Actualmente la memoria L2 viene integrada en el microprocesador, se encarga de almacenar datos de uso frecuente y agilizar los procesos; determina por mucho si un microprocesador es la versión completa ó un modelo austero. Pueden contar con una capacidad de almacenamiento Caché de 8 MB, 9 MB en procesadores AMD® e Intel® y hasta 12 MB en procesadores Intel®.
+ Memoria L3: esta memoria es un tercer nivel que utilizaron primero los procesadores de la firma AMD® y posteriormente Intel®. Con este nivel de memoria se agiliza el acceso a datos e instrucciones que no fueron localizadas en L1 ó L2. Si no se encuentra el dato en ninguna de las 3, entonces se accederá a buscarlo en la memoria RAM. Pueden contar con una capacidad de almacenamiento Caché de hasta 8 Mb y 9 Mb sumando L2+L3 en el caso de la nomenclatura AMD®.
- Memoria rom
Es una memoria de solo lectura, únicamente se puede leer, no permite ningún acceso
de escritura, es secuencial, porque ejecuta los programas que posee siguiendo
siempre el mismo orden y es no volátil, porque no necesita ningún tipo de alimentación,
(para mantener los datos que contiene).
El contenido de esa memoria es fijo, a los programas grabados en una memoria ROM
se los denomina FirmWare (software grabado en una memoria de solo lectura).
Estos programas son grabados en la memoria ROM, por el fabricante del mother, donde
finalmente se colocara el chip de memoria ROM (BIOS), y no se puede modificar a
través de los métodos habituales.
- Caracteristicas de la ram DDR3 DIMM
+ Todos las memorias DDR-3 cuentan con 240 terminales.
+ Una característica es que si no todas, la mayoría cuentan con disipadores de calor.
+ Cuentan con una muesca en un lugar estratégico del conector, para que al insertarlas, no haya riesgo de colocarlas de manera incorrecta ó para evitar que se inserten en ranuras inadecuadas.
+ Como sus antecesores, pueden estar ó no ocupadas todas sus ranuras para memoria.
+ Tiene un voltaje de alimentación de 1.5 Volts hacia abajo.
+ Con los sistemas operativos Microsoft® Windows mas recientes en sus versiones de 32 bits , es posible que no se reconozca la cantidad de memoria DDR3 total instalada, ya que solo se reconocerán como máximo 2 GB ó 3 GB, sin embargo el problema puede ser resuelto instalando las versiones de 64 bits.
+ Algunas versiones de memorias DDR3 son Plug&Play, por lo que no es necesario reiniciar el equipo al conectarse y se detecta de manera automática y se añada a la ya existente.
